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高层定调!电动车皇冠上的明珠迎来重年夜利好 多家公司已当先机关

来源:http://www.jenter.cn 时间:01-30 08:20:04

财联社声明:文章内容仅供参考,不造成投资提议。投资者据此操纵,危害自担。

台基股份:已具有IGBT营业基本,5年前完成了IGBT模块研发,具有量产手段。去年8月的定增项目则包孕了IGBT模块封测线(兼容SiC品级三代宽禁带半导体功率器件),并提早卡位机关以以SiC和GaN为代表的第三代宽禁带半导体。

士兰微:去年上半年8寸产线芯片产销量同比增添74.25%,并已建成BCD工艺平台。与集成电路年夜基金已启动 8寸产线二期的培植,总投资15亿元,周期5年,建成后公司8英寸产能将增添赶过一倍抵达年产73万片。另外12英寸出产线也已在厦门开启投资。

IGBT制作难度年夜,具有极高的手艺壁垒。中国功率半导体市场约占世界市场份额50%,可是中高真个MOSFET(绝缘栅型场效应管)及IGBT干流器件市场根基被西洋、日本企业把持。我国IGBT产品对外依赖度抵达90%。海外IGBT首要制作商包孕英飞凌、ABB、三菱、西门子、东芝和富士,丰田汽车是今朝环球唯一能够自产IGBT的整车厂。

碳化硅(SiC)属于第三代半导体原料,也是今朝成长最成熟的宽禁带半导体原料。作为建造高温、高频、年夜功率、高压器件的理想原料之一,SiC成为完成新动力汽车最佳机能的理想选择。今朝SiC器件在新动力汽车上的使用主若是功率节制单元、逆变器、DC-DC转换器、车载充电器等。

比照于IGBT,SiC是更为前进先辈的做节制器的电力电子芯片。虽然本钱是IGBT的8-10倍,但SiC可以年夜幅度进步电机转速从而降职电机比功率,在做到高频率和高效用的同时,体积还很是小,约比IGBT小70-80%。另外,SiC还具有高频率但生产低的上风,从而将新动力车效用再进步10%摆布。丰田曾经暗地暗示,SiC具有与汽油策念头齐截的紧张性。

SiC是完成新动力车最佳机能的理想选择

IGBT是动力调动与传输的核心器件,全称为绝缘栅型双极型晶体管,首要浸染是举办交换电和直流电的转换、电压凹凸的转换,其浸染近似于电脑的CPU。电动汽车上IGBT首要使用于电池打点体系、电动节制体系、空调节制体系和充电体系。对付殽杂动力汽车,新天地平台与高压体系相自力的高压体系也必要用到IGBT。

新动力汽车电控体系代价量仅次于电池。纯电动新动力汽车本钱机关中,动力电池以42%的占比位居第一,紧随其后的是电控体系,占比达11%。在电控体系本钱中,IGBT占比高达 41%,是电控体系中最紧张的造成器件。

在海外市场,中高端IGBT产能紧张不敷,SiC方面虽多无机关,但年夜局部处于早期研发阶段,行业体量较小。为变化高密度IGBT和碳化硅器件耐久受制于人的窘境,已有一些A股公司举办了却构:

IGBT被誉为电动车皇冠上的明珠

露笑科技:公司去年11月与中科钢研、国宏中宇签订碳化硅项目计谋合作和谈,将为国宏中宇主导的碳化硅财富化项目定制约200台碳化硅长晶炉,配置总洽购金额约3亿元。去年8月公司全资子公司露笑蓝宝石与国宏中宇签订总金额 1.26亿元的《碳化硅长晶成套配置定制条约》。

《科创板日报》(上海,研讨员 米娅)讯,即日,中国电动汽车百人会第六届年度论坛在北京召开。天下政协副主席、中国科学手艺协会主席万钢在论坛上夸张,面向未来,要放慢新一代的驱动节制手艺进级,出格是高密度的IGBT和碳化硅器件方面是此后进级成长的标的目的。

此前,工信部也在回覆政协提案中暗示,将继续推动家产半导体原料、芯片、器件及IGBT模块财富成长,依照财富成长情势,调停完美政策执行细则,更好的撑持财富成长。


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